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元件参数资料
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参数目录42472
> DMN4009LK3-13 MOSFET N-CH 40V 18A DPAK
型号:
DMN4009LK3-13
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOSFET N-CH 40V 18A DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
DMN4009LK3-13 PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
8.5 毫欧 @ 14A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
21nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2072pF @ 20V
功率 - 最大
2.19W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
TO-252-3
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
DMN4009LK3-13DICT
查看DMN4009LK3-13代理商
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